剧情简介
随着3D NAND的海力堆叠层数越来越多，厂家门也在着手研究新的士研闪存生产技术以改进效率，SK海力士就在评估东京电子最新的究低低温蚀刻设备，该设备可以在-70℃的温蚀低温下运行，用来生成400层以上堆叠的刻设新型3D NAND。低温蚀刻设备的备下钻孔速度是传统工具的三倍，对多层数的海力3D NAND非常有用。
根据thelec的士研闪存消息，SK海力士正在把测试晶圆发送到东京电子的究低实验室，而不直接进口设备，温蚀很明显是刻设在评估新设备的能力。当前的备下蚀刻工艺是在0℃到30℃的温度范围内工作的，而东京电子的海力蚀刻设备在-70℃低温下运行，这形成了鲜明的士研闪存对比，根据他们的究低论文数据，新的蚀刻机可以在33分钟内进行10微米深的高深度比蚀刻，比现有工具快三倍以上，这一成果是一项重大的技术进步，而且大大提升了3D NAND的生产效率。
SK海力士现在的321层3D NAND据说采用了三重堆栈结构，采用东京电子的新设备后可能以单堆栈或双堆栈的方式构建400层的3D NAND，生产效率明显提高，当然这能否成功还得看设备的可靠性以及性能一致性。
此外SK海力士考虑应用低温蚀刻设备的另一个原因是减少碳排放，现有的蚀刻工艺中，使用的是具有较高全球变暖潜能值(GWP)的碳氟化合气体，如四氟化碳和八氟丙烷，其GWP分别为6030和9540，但东京电子新一代蚀刻设备使用的是GWP小与1的氟化氢气体，这将大幅减少温室气体的排放。
同时三星也在验证这一新技术，与SK海力士不同的是，三星是直接引进东京电子的新设备进行测试。
【来源：超能网】
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